Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Forma de treball d'un ^transistor d'efecte de camp^. En un transistor de canal N, aquesta forma de treball ve caracteritzada per una tensió VGS (entre la porta i el sortidor) major que VT (tensió llindar) i una tensió VDS (entre el drenador i el sortidor) inferior a VGS - VT. En aquest mode el [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Conjunt de condicions de polarització en les quals la regió neutra de la base d'un ^transistor bipolar de junció^ desapareix en ser absorbida per les ^zones de càrrega espacial^ d'emissor i de col·lector. En aquestes condicions el corrent de col·lector mostra un increment important. [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Forma de treball d'un transistor bipolar caracteritzada per una polarització directa de la junció emissora i per una polarització inversa de la col·lectora. En aquest mode d'operació el corrent del col·lector és proporcional al corrent de la base. Aquesta proporció fa referència al ^guany de [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
1. Dit del commutador, de l'interruptor, etc., que actua sobre un sol pol o una fase de corrent. 2. Dit del dispositiu semiconductor en què el corrent és transportat per portadors d'una sola polaritat o per electrons o per forats, com és el cas del ^transistor MOS^. [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Circuit format per dos ^transistors bipolars de junció^ que tenen els dos col·lectors connectats entre si i l'emissor d'un dels dos, connectat a la base de l'altre. Es comporta com un sol transistor amb un guany de corrent aproximadament igual al producte dels guanys de corrent de cada transistor [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Tecnologia de realització de ^circuits integrats^ caracteritzada pel fet d'utilitzar exclusivament transistor de buidament i d'acumulació de canal N. [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Dit del transistor que té característiques duals, és a dir, que les regions N en un transistor són regions P en l'altre i viceversa. En són exemples els transistors bipolars NPN i PNP, i els transistors MOS de canal N i de canal P. Les característiques elèctriques dels dispositius [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Model circuital del transistor bipolar format per díodes i fonts controlades de corrent. Hi ha la versió d'injecció i la versió de transport. Els valors dels paràmetres dels elements de circuit són funció de l'estructura física (geometria, dopatges...) particular de cada transistor. Fou proposat [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
1. Regió d'un transistor bipolar que injecta portadors a la base, els quals poden ser recollits pel col·lector. 2. Terminal que fa contacte amb l'emissor. [...]
