Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Transistor MOS de canal N, en què les regions de drenador i sortidor són de tipus N creades en un substrat P i poden ser connectades entre si a través d'un canal d'electrons induït per una tensió positiva aplicada a la porta. [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Transistor MOS en què les regions de drenador i de sortidor són de tipus P creades en un substrat N i poden ser connectades entre si a través d'un canal induït per una tensió negativa aplicada a la porta. En aquest canal els portadors majoritaris són forats. [...]