Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Transistor bipolar la principal característica del qual és la utilització com a emissor d'un semiconductor de ^banda prohibida^ més gran que el del material de la base. Això permet optimitzar els dopatges per fer mínimes les resistències i capacitats paràsites, i així pot arribar a amplificar fins [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Dispositiu semiconductor de tres terminals, ^emissor^, ^base^ i ^col·lector^, utilitzat per a amplificar senyals en els circuits analògics o com a interruptor en els circuits digitals. Entre la base i l'emissor hi ha una junció PN emissora i entre la base i el col·lector una altra de col·lectora. L [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Transistor d'efecte de camp en el qual el substrat és una capa prima, generalment de polisilici, en lloc d'un monocristall. Es pot fabricar damunt d'una diversitat de suports, com ara una pantalla d'un visualitzador. [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Dispositiu semiconductor de tres terminals, anomenats ^drenador^, ^porta^ i ^sortidor^. El corrent entre el drenador i el sortidor és controlat per un camp elèctric transversal creat per la tensió aplicada a la porta. Els principals tipus són el ^transistor MOS^, el ^transistor d'efecte de camp de [...]
